CVD氣相沉積爐是Chemical Vapor Deposition的簡稱，是指高溫下的氣相反應，例如，金屬鹵化物、有機金屬、

碳氫化合物等的熱分解，氫還原或使它的混合氣體在高溫下發(fā)生化學反應以析出金屬、氧化物、碳化物等無機材料的方法。

        這種技術Z初是作為涂層的手段而開發(fā)的，但目前，不只應用于耐熱物質的涂層，而且應用于高純度金屬的精制、

粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域。

        氣相沉積爐這種技術剛開始發(fā)展時是作為涂層的手段而開發(fā)的，但是目前隨著發(fā)展已經不只是應用于耐熱物質的涂層了，現在應該已經應用于高純度金屬的精制、

粉末合成、半導體薄膜等，是一個還比較廣泛的領域。

       氣相沉積爐反應室的壓力、氣體的流動速率、晶片的溫度等反應中間起的作用都是沉積參數的變化范圍，所以考慮到沉積薄膜中的變數、以及沉積

速率決定著反應室的產量，反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，所以對反應室進行徹底清洗的程度也是重要。

       氣相沉積爐是傳統的制備薄膜的技術，它的原理就是利用氣態(tài)的先驅反應物，通過原子、分子間的化學反應，在晶片上形

成薄膜。氣相沉積能夠生產出具備高質量高純度以及高強度等優(yōu)點的材料，因此在半導體行業(yè)很受歡迎。